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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 11nm

        三星宣布11nm新工藝:7nm全面上極紫外光刻

        •   Intel雖然一再強(qiáng)調(diào)自己的xxnm工藝才是最精確的,比如同樣標(biāo)稱10nm,自己要比三星、臺積電的領(lǐng)先整整一代,但是沒辦法,人家的腳步要快得多。   今天,三星電子又宣布了新的11nm FinFET制造工藝“11LPP”(Low Power Plus),并確認(rèn)未來7nm工藝將上EUV極紫外光刻。        三星11LPP工藝不是全新的,而是14nm、10nm的融合,一方面采用10nm BEOL(后端工藝),可以大大縮小芯片面積,另一方面則沿用14nm
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        三星11nm FinFET欲登場,臺積電的大麻煩?

        • 三星正在與臺積電進(jìn)行10nm工藝競爭,并將成為第一個(gè)部署7nm制程的公司。
        • 關(guān)鍵字: 三星  11nm   

        三星宣布將為中高端機(jī)型推出11nm芯片

        •   本周一,三星宣布了全新的11nm LPP工藝,它將用于三星后續(xù)推出的中高端機(jī)型。三星在新聞公告中表示,11nm LLP的性能相比此前的14nm LLP提升了15%,單位面積的功耗降低了10%。   目前三星的14nm LLP芯片主要用于2017年版Galaxy A系列和J系列手機(jī)。三星表示,10nm用于旗艦手機(jī),11nm用于中高端,形成差異化,預(yù)計(jì)2018年上半年在市場投放。與此同時(shí),三星也成為了市場上最先確認(rèn)7nm的企業(yè),其7nm LPP定于2018下半年開始試產(chǎn),采用EUV極紫外光刻技術(shù)。  
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        Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)

        •   在本月21日舉辦的LithoVision2010大會上,Intel公司公布了其未來幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計(jì)劃,按這份驚人的計(jì)劃顯示,Intel計(jì)劃將 193nm波長沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn),這表明他們再次后延了其極紫外光刻(EUV)技術(shù)的啟用日期。   Intel實(shí)驗(yàn)室中的EUV曝光設(shè)備   根據(jù)會上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線圖顯示,目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù),而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù),沉浸式光刻工具方面,Int
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        11nm介紹

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